Орен-пк
spacer
Описание и решение проблем с компьютерным железом. Здесь можно прочитать как правильно эксплуатировать и обслуживать аппаратную и программную часть компьютера.

Сайт для пользователей персональных компьютеров

Системный блок Материнская плата Процессор Оперативная память Видеокарта Жёсткий диск Оптический привод Сборка ПК онлайн Навигация по сайту
Главная
Обзор Пк
Обзор ПО
Скачать
Каталог
Фотогалерея
Опросы
FAQ

Главная » Оперативная память

Статьи
 
Каталог - Производители оперативной памяти  
Фотогалерея
 

Оперативная память (англ. Random Access Memory, память с произвольным доступом; комп. жарг. Память, Оперативка, Мозги) — энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции. Обязательным условием является адресуемость (каждое машинное слово имеет индивидуальный адрес) памяти.


Память статического типа (англ. SRAM (Static Random Access Memory))
SRAM
ОЗУ, которое не надо регенерировать (и обычно схемотехнически собранное на триггерах), называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи. Используется для организации сверхбыстрого ОЗУ, критичного к скорости работы.


Память динамического типа (англ. DRAM (Dynamic Random Access Memory))
DRAM

Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов). Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. За то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени, память на конденсаторах получила своё название динамическая память. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов для восстановления необходимо «регенерировать» через определённый интервал времени. Регенерация выполняется центральным микропроцессором или контроллером памяти, за определённое количество тактов считывания при адресации по строкам. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливаются все операции с памятью, это значительно снижает производительность данного вида ОЗУ.

Типы DRAM памяти:
-FPM RAM
-EDO RAM
-Burst EDO RAM
-SDRAM
-DDR SDRAM
-DDR2 SDRAM
-DDR3 SDRAM
-DDR4 SDRAM
-Rambus RAM
-VRAM
-WRAM
-SGRAM
-GDDR2
-GDDR3
-GDDR4
-GDDR5


Конструктивные исполнения памяти DRAM


Различные корпуса DRAM. Сверху вниз: DIP, SIPP, SIMM (30-контактный), SIMM (72-контактный), DIMM (168-контактный), DIMM (184-контактный, DDR)
модуль SDRAM в 72-контактном корпусе SO-DIMM
модуль DDR2 в 204-контактном корпусе SO-DIMM
Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP, SOIC, BGA и в виде модулей памяти типа SIPP, SIMM, DIMM, RIMM.
Первоначально микросхемы памяти выпускались в корпусах типа DIP (к примеру, серия К565РУхх), далее они стали производиться в более технологичных для применения в модулях корпусах.
На многих модулях SIMM и подавляющем числе DIMM устанавливалась SPD (Serial Presence Detect) — небольшая микросхема памяти EEPROM, хранящяя параметры модуля (ёмкость, тип, рабочее напряжение, число банков, время доступа и т. п.), которые программно были доступны как оборудованию, в котором модуль был установлен (применялось для автонастройки параметров), так и пользователям и производителям.


Модули SIMM
Модули типа SIMM (Single In-line Memory Module) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядом контактных площадок вдоль одной из её сторон. Модули фиксируются в разъёме (сокете) подключения с помощью защёлок, путём установки платы под некоторым углом и нажатия на неё до приведения в вертикальное положение. Выпускались модули на 4, 8, 16, 32, 64, 128 Мбайт.
Наиболее распространены 30- и 72-контактные модули SIMM.


Модули DIMM
Модули типа DIMM (Dual In-line Memory Module) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядами контактных площадок вдоль обеих её сторон, устанавливаемые в разъём подключения вертикально и фиксируемые по обоим торцам защёлками. Микросхемы памяти на них могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.
Модули памяти типа SDRAM наиболее распространены в виде 168-контактных DIMM-модулей, памяти типа DDR SDRAM — в виде 184-контактных, а модули типа DDR2, DDR3 и FB-DIMM SDRAM — 240-контактных модулей.


DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.


Типы DIMM:
-72-pin SO-DIMM (не совместима с 72-pin SIMM) — используется для FPM DRAM и EDO DRAM
-100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM
-144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (иногда также для EDO RAM) в портативных компьютерах
-168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах)
-172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM
-184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM
-200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
-214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM
-204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM
-240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM


Спецификация модулей памяти DDR SDRAM
DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.

Спецификация

Тактовая частота шины памяти

Максимальная теоретическая пропускная способность памяти

в одноканальном режиме

в двухканальном режиме

PC1600*
(DDR200)

100 МГц

1600 Мбайт/сек

3200 Мбайт/сек

PC2100*
(DDR266)

133 МГц

2133 Мбайт/сек

4267 Мбайт/сек

PC2400
(DDR300)

150 МГц

2400 Мбайт/сек

4800 Мбайт/сек

PC2700*
(DDR333)

166 МГц

2667 Мбайт/сек

5333 Мбайт/сек

PC3200*
(DDR400)

200 МГц

3200 Мбайт/сек

6400 Мбайт/сек

PC3500
(DDR433)

217 МГц

3467 Мбайт/сек

6933 Мбайт/сек

PC3700
(DDR466)

233 МГц

3733 Мбайт/сек

7467 Мбайт/сек

PC4000
(DDR500)

250 МГц

4000 Мбайт/сек

8000 Мбайт/сек

PC4200
(DDR533)

267 МГц

4267 Мбайт/сек

8533 Мбайт/сек


Примечание 1: стандарты, помеченные символом «*», официально сертифицированы JEDEC. Остальные типы памяти не сертифицированы JEDEC, хотя их и выпускали многие производители памяти, а большинство выпускавшихся в последнее время материнских плат поддерживали данные типы памяти.
Примечание 2: выпускались модули памяти работающие и на более высоких частотах (до 350 МГц, DDR700), но эти модули не пользовались большим спросом и выпускались в малом объёме, кроме того, они имели высокую цену.
Размеры модулей также стандартизированы JEDEC.
Надо заметить, что нет никакой разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например между PC1600 (работает на частоте 100МГц) и PC2100 (работает на частоте 133МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль.
Модули памяти DDR SDRAM можно отличить от обычной SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM) и по ключу (вырезы в области контактных площадок) — у SDRAM два, у DDR — один. Согласно JEDEC, модули DDR400 работают при напряжении питания 2,6 В, а все более медленные — при напряжении 2,5 В. Некоторые скоростные модули для достижения высоких частот работают при больших напряжениях, до 2,9 В.
Большинство последних чипсетов с поддержкой DDR позволяли использовать модули DDR SDRAM в двухканальном, а некоторые чипсеты и в четырёхканальном режиме. Данный метод позволяет увеличить в 2 или 4 раза соответственно теоретическую пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуется 2(или 4) модуля памяти, рекомендуется использовать модули работающие на одной частоте и имеющие одинаковый объём и тайминги (ещё лучше использовать абсолютно одинаковые модули).
Сейчас модули DDR практически вытеснены модулями типов DDR2 и DDR3, которые в результате некоторых изменений в архитектуре позволяют получить бо́льшую пропускную способность подсистемы памяти. Ранее главным конкурентом DDR SDRAM являлась память типа RDRAM (Rambus), однако ввиду наличия некоторых недостатков со временем была практически вытеснена с рынка.

Спецификация модулей памяти DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.

Совместимость DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно. Существуют переходники для установки модулей DDR2 в слоты DDR[1], но их можно рассматривать скорее как технологический курьез. Дело в том, что для функционирования такого переходника необходим контроллер памяти, обладающий способностью работать как с памятью типа DDR, так и DDR2 — например, Intel 915 Express.

Технические стандарты

Тип чипа Частота памяти Частота шины Эффективная частота

DDR2-400

100 МГц

200 МГц

400 МГц

DDR2-533

133 МГц

266 МГц

533 МГц

DDR2-667

166 МГц 333 МГц 667 МГц
DDR2-800 200 МГц 400 МГц 800 МГц
DDR2-1066

266 МГц

533 МГц 1066 МГц


Модули
Для использования в ПК, DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью)

Название модуля

Частота шины

Тип

Пиковая скорость передачи данных

PC2-3200

200 МГц

DDR2-400

3200 МБ/с или 3,2 ГБ/с

PC2-4200

266 МГц

DDR2-533

4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с

PC2-5300

333 МГц

DDR2-667

5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с1

PC2-5400

337 МГц

DDR2-675

5400 МБ/с или 5,4 ГБ/с

PC2-5600

350 МГц

DDR2-700

5600 МБ/с или 5,6 ГБ/с

PC2-5700

355 МГц

DDR2-711

5700 МБ/с или 5,7 ГБ/с

PC2-6000

375 МГц

DDR2-750

6000 МБ/с или 6,0 ГБ/с

PC2-6400

400 МГц

DDR2-800

6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с

PC2-7100

444 МГц

DDR2-888

7100 МБ/с или 7,1 ГБ/с

PC2-7200

450 МГц

DDR2-900

7200 МБ/с или 7,2 ГБ/с

PC2-8000

500 МГц

DDR2-1000

8000 МБ/с или 8,0 ГБ/с

PC2-8500

533 МГц

DDR2-1066

8500 МБ/с или 8,5 ГБ/с

PC2-9200

575 МГц

DDR2-1150

9200 МБ/с или 9,2 ГБ/с

PC2-9600

600 МГц

DDR2-1200

9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с


Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2.35-2.45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400[2].

Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:
-наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например так: PC2-6400 ECC;

-наличию специализированной микросхемы адресации — register.
«Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.

-наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.

Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered ( обычная память ) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR-II.
Категорически невозможно использовать Registered память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR-III, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.

Спецификация модулей памяти DDR3 SDRAM


DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео- памяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

Совместимость
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов

Стандартное название

Частота памяти

Время цикла

Частота шины

Эффективная частота

Название модуля

Пиковая скорость передачи данных

DDR3-800

100 МГц

10,00 нс

400 МГц

800 МГц

PC3-6400

6400 МБ/с

DDR3-1066

133 МГц

7,50 нс

533 МГц

1066 МГц

PC3-8500

8533 МБ/с

DDR3-1333

166 МГц

6,00 нс

667 МГц

1333 МГц

PC3-10600

10667 МБ/с

DDR3-1600

200 МГц

5,00 нс

800 МГц

1600 МГц

PC3-12800

12800 МБ/с

DDR3-1866

233 МГц

4,29 нс

933 МГц

1866 МГц

PC3-14900

14930 МБ/с

DDR3-2000

250 МГц

4,00 нс

1000 МГц

2000 МГц

PC3-16000

16000 МБ/с

DDR3-2133

266 МГц

3,75 нс

1066 МГц

2133 МГц

PC3-17000

17066 МБ/с

DDR3-2200

275 МГц

3,64 нс

1100 МГц

2200 МГц

PC3-17600

17600 МБ/с

DDR3-2400

300 МГц

3,33 нс

1200 МГц

2400 МГц

PC3-19200

19200 МБ/с

Пример:

Общие параметры
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM
Основные
Объем модуля памяти 4 Гб
Количество модулей в комплекте 2
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Количество контактов 240
Количество чипов каждого модуля 16
Напряжение питания 1.65 В
Радиатор есть
Упаковка чипов двусторонняя
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 27
  1. Тип памяти DDR3

  2. Тип 

    Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. 
    SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3. 

    DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте. 

    DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты. 

    DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. 
    В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами. 

    RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка. 
    При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти. 

     
  3. Форм-фактор DIMM

    DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти. 

     

  4. Основные
    Объем модуля памяти 4 Гб
    Количество модулей в комплекте 2
    Тактовая частота 1600 МГц
    Пропускная способность 12800 Мб/с
    Поддержка ECC нет
    Буферизованная (Registered) нет
    Низкопрофильная (Low Profile) нет
    Количество контактов 240
    Количество чипов каждого модуля 16
    Напряжение питания 1.65 В
    Радиатор есть
    Упаковка чипов двусторонняя

  5. Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб)

    Объем памяти одного модуля. 
    Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 512 Мб. Для комфортной работы с графическими редакторами и офисными приложениями необходимо 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. 2 Гб (2048 Мб) и более позволят использовать сложные графические программы и играть в современные компьютерные игры.

    Количество модулей в комплекте 

    Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей.

    Тактовая частота 

    Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость.

    Пропускная способность 

    Пропускная способность модуля памяти - количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик).

    Поддержка ECC 

    Поддержка Error Checking and Correction - алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.

    Буферизованная (Registered)